にきびに対する出力光励起半導体レーザーの効果を評価した研究が9月9日、「European journal of medical research」オンラインに掲載された。
炎症性にきび治療への577nmの高出力光励起半導体レーザー（HOPSL）の有効性を評価した。今回の研究は、16～35歳のにきび患者50人（男性14人、女性36人）を対象に、顔の左側に577nmの高出力光励起半導体レーザー（HOPSL）による治療を2週間ごと3回実施した。顔の両側の炎症性にきび病変重症度に統計的に有意な差はなかった。最初の施術の前と最後の施術の4週間後ににきびの重症度を評価した（評価者によるにきびの重症度のグローバル評価）。
その結果、最終施術の1か月後、レーザー治療側は49人（98％）、対照側は41人（82％）で、にきびの全体的重症度の有意な改善が観察された。レーザー治療側と対照側の炎症性丘疹、膿疱、結節の平均パーセンテージの有意な減少が見られた。施術中の紅斑および刺激といった副作用は一過性であり、患者には許容された。
